更新時間:2025-12-21 02:32:43點擊: 25
上个月有报道称,传星储专长江存储(YMTC)已经开始出货第五代3D TLC NAND闪存,将采江存共有294层,用长WhatsApp%E3%80%90+86%2015855158769%E3%80%91south%20florida%20bulls%20football%20jersey以及232个有源层。利混长江存储已经成功地将密度提高到行业相同的合键合技水平,实现了最高的传星储专垂直栅密度,也是将采江存现阶段商业产品中最高的,使其成为了全球NAND闪存市场的用长有力竞争者。

据TrendForce报道,利混WhatsApp%E3%80%90+86%2015855158769%E3%80%91south%20florida%20bulls%20football%20jersey三星将从第10代V-NAND闪存开始,合键合技采用长江存储的传星储专专利混合键合技术。三星的将采江存目标是在2025年下半年开始量产第10代V-NAND闪存,预计总层数达到420层至430层。用长此外,利混传闻SK海力士也正在与长江存储进行专利协议的合键合技谈判。
大概在四年前,长江存储率先将名为“晶栈(Xtacking)架构”的混合键合技术应用于3D NAND闪存,随后逐步建立了强大的专利组合。三星在之前的NAND闪存里采用了COP(Cell-on-Periphery)结构,将外围电路放在一块晶圆上,然后单元堆叠在上面,不过当层数超过400层时,下层外围电路的压力会影响可靠性。改用混合键合技术后,消除了对凸块的需求,缩短了电路,从而提高了性能和散热性。
据了解,目前Xperi、长江存储、以及台积电(TSMC)拥有大多数混合键合技术的专利。三星之所以选择与长江存储合作,很大程度上是因为接下来的第11代和第12代V-NAND闪存都很难绕过后者的专利。


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